下列何者為可直接在電腦內直接重寫，不須特別設備才能寫入資料的非揮發性記憶體？
(A)RAM (B)EPROM (C)PROM (D)EEPROM
答案：(D)
這是112 年公務人員初等考考試試題資料處理大意第3題，離上一次2007年寫依OSI 參考模式的定義，RS-232 屬於那一層？已經有16年了，那時應該有要準備考公務人員初等考考試吧，今天會重寫考古題，主要有點受到”阿滴回台灣第一件事就是去考雅思”的分享，我自己也覺得IT從業人員可以不斷地複習一些資訊的概念，結果沒想到我這次答題答得很不順，可見我老了，很多觀念都忘了，新的觀念也沒學到，不過也沒關係，我想我不會的地方，應該也是有很多人也不會，特別是今天你看到我這篇文章，想必是你也不會吧🤣
最近有個新聞消息貼出來給各位看一下
華邦（2344）繼供應iPhone OLED面板外掛編碼型快閃記憶體（NOR Flash）後，再奪蘋果大單。業界最新拆解報告發現，iPhone 15系列新機首度導入Type C介面快充功能，亦採用華邦的NOR晶片搭配微控制器（MCU），華邦是台灣記憶體廠當中，首次拿下兩筆蘋果大單的業者。看到這個訊息給予了我很多想像，第一是從投資的角度來看，華邦看起來是個可以投資的公司，從考試的角度來看，這個編碼型快閃記憶體（NOR Flash）的觀念或許在即將到來的初等考試資料處理大意會被收入考題中，希望大叔猜題會很準。
以前我對電腦記憶體(Computer memory)的概念大概就只有揮發性記憶體(RAM)跟非揮發性記憶體(ROM)，現在的分類更細，技術也更先進，之前有在何謂輔助記憶體？提過快閃記憶體 ( Flash Memory )跟快取記憶體(Cache Memory)，今天我們再擴充學習一下更多記憶體的知識。
電腦記憶體
電腦記憶體(Computer memory)是一種利用半導體、磁性媒介等技術製成的儲存資料的電子裝置。其電子電路中的資料以二進位方式儲存，不同記憶體產品中基本單元的名稱也不一樣。
電腦記憶體可以根據儲存能力與電源的關係可以分為以下兩類：
揮發性記憶體
揮發性記憶體（Volatile memory）是指當電源供應中斷後，記憶體所儲存的資料便會消失的記憶體。主要有以下的類型：
- 隨機存取記憶體(RAM,Random Access Memory)：是與中央處理器直接交換資料的記憶體。它可以隨時讀寫（重新整理時除外），而且速度很快，通常作為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存媒介。
- 動態隨機存取記憶體，英文縮寫寫作DRAM(Dynamic Random Access Memory)，一般每個單元由一個電晶體和一個電容組成（後者在積體電路上可以用兩個電晶體類比）。特點是單元占用資源和空間小，速度比SRAM慢，需要重新整理。一般電腦主記憶體即由DRAM組成。在PC上，DRAM以記憶體條的方式出現，DRAM顆粒多為4位元或8位元位寬，而載有多個顆粒的單根記憶體條的位寬為64位元。
- 靜態隨機存取儲存器，英文縮寫寫作SRAM(Static Random Access Memory)，一般每個單元由6個電晶體組成，但近來也出現由8個電晶體構成的SRAM單元。特點是速度快，但單元占用資源比DRAM多。一般CPU的CPU快取即由SRAM構成。
非揮發性記憶體
非揮發性記憶體（Non-volatile memory）是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料並不會消失，重新供電後，就能夠讀取記憶體中的資料。 主要種類如下：
- 唯讀記憶體（ROM,Read-only memory）：是一種半導體記憶體，其特點是一旦在其體內儲存了資料就無法再被改寫或刪除，但其儲存過的內容也不會因為電源關閉而丟失。
- 可規化式唯讀記憶體（PROM）：可程式唯讀記憶體（Programmable ROM，PROM）其內部有行列式的熔絲，可依使用者（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的資料及程式，熔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即資料無法再更改。
- 可擦除可規劃式唯讀記憶體（EPROM）：可抹除可編程唯讀記憶體（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，資料始可被清空，再供重複使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所製的透明窗以便進行紫外線曝光。寫入程式後通常會用貼紙遮蓋透明窗，以防日久不慎曝光過量影響資料。
- 一次編程唯讀記憶體（OTPROM）：一次編程唯讀記憶體（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）內部所用的晶片與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設定透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
- 電子抹除式可複寫唯讀記憶體（EEPROM）：電子抹除式可複寫唯讀記憶體（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
- 快閃記憶體(Flash ROM)：快閃記憶體（Flash memory）的每一個記憶胞都具有一個「控制閘」與「浮動閘」，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。快閃記憶體主要分為NAND型與NOR型。現在NAND Flash常用於固態硬碟、USB隨身碟、記憶卡等用途，NOR Flash則用於BIOS/UEFI ROM晶片等用途。
- 磁儲存
- 硬碟
- 軟碟
- 磁帶
- 3D XPoint
- 固態硬碟
- 光儲存
- 光碟
讀完後不知是否有豁然開朗的感覺，還是有更多的名詞字彙讓人更混亂，不斷地研讀練習是有用的，祝大家考試順利。